創見發表新一代工業級112層3D NAND PCIe M.2固態硬碟

創見發表新一代工業級112層3D NAND PCIe M.2固態硬碟

受惠於新一代112層3D NAND快閃記憶體的技術突破,每單位顆粒容量可高達1Tb,與96層堆疊技術相比提高了近兩倍。除晶圓密度提升,112層3D NAND也具備更快的傳輸速度,讀寫效能可提高50%。創見112層3D NAND工業級固態硬碟耐用度達3K次抹寫週期(P/E cycles),可在-20°C到75°C的類寬溫(Extended Temperature)溫度範圍下穩定運作。所有產品皆經過嚴苛的品質檢驗與測試,確保耐用度與可靠度可支援高工作負載的工業應用。

創見工業級PCIe M.2固態硬碟MTE720T,亦搭載PCIe Gen4 x4高速傳輸介面,符合NVMe 1.4通訊協定,採用8通道控制器,內建DDR4 DRAM快取,大幅提升隨機存取效能。讀寫速度最高可達7400MB/s與6000MB/s,適合大量資料傳輸。此外,創見採用邊緣補強技術(Corner Bond)與30μ金手指,保護關鍵元件並提升硬碟插拔次數,加強抗震與耐用程度,爲工業應用帶來更優異穩定的儲存表現。

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創見112層3D NAND工業級PCIe M.2固態硬碟亦搭配先進韌體技術,內建ECC自動糾錯功能、全區平均抹寫(Global Wear Leveling)、故障區塊管理技術、Garbage Collection、S.M.A.R.T.監控分析,以及動態熱能管理機制協助監控硬碟溫度,防止裝置過熱,強化資料存取的穩定性與正確性。

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