迎接AI時代 三星今年要提高HBM晶片產量近三倍

迎接AI時代 三星今年要提高HBM晶片產量近三倍

三星電子今年可能提高高頻寬記憶體(HBM)晶片產量近三倍。美聯社

全球記憶體晶片製造商龍頭三星電子今年可能提高高頻寬記憶體(HBM)晶片產量近三倍,以搶得人工智慧(AI)記憶體晶片市場的領導地位。此外,引領HBM市場的SK海力士(SK Hynix)坦承,正尋求在美國興建晶片封裝廠。

韓國經濟日報報導,三星電子執行副總裁兼DRAM產品與科技部門主管黃相中(音譯,Hwang Sang-joong)於26日在美國加州聖荷西舉辦的Memcon 2024活動表示,他預期三星電子今年的HBM產量將比去年增加2.9倍,多於三星電子今年初在拉斯維加斯消費電子展(CES)預估的2.5倍。

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他說,在已開始量產的第三代HBM2E和第四代HBM3後,三星電子計劃今年上半年大量生產12層的第五代HBM、及以32GB爲基礎的128 GB DDR5,「有了這些產品,我們預期將強化我們在AI時代的高效、高容量記憶體市佔」。

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三星電子也發表HBM發展路線圖,希望2026年的HBM出貨量能比2023年多出13.8倍,2028年的HBM年產量更要比2023年高出23.1倍。該公司也展示首款12堆疊HBM3E DRAM「HBM3E 12H」晶片,目前已送出樣品給客戶,計劃今年上半年開始量產。

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另據日經新聞報導,在媒體披露SK海力士計劃在印第安納州投資約40億美元興建一座工廠後,SK海力士執行長郭魯正27日坦承,「正在考慮建廠,但還沒敲定任何事情」。

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